| 公开(公告)号 | CN1973831A |
| 公开(公告)日 | 2007.06.06 |
| 申请(专利)号 | CN200610165224.3 |
| 申请日期 | 2006.12.14 |
| 专利名称 | 一种磁性超分子插层结构缓释型双氯芬酸钠及其制备方法 |
| 主分类号 | A61K9/20(2006.01)I |
| 分类号 | A61K9/20(2006.01)I;A61K9/48(2006.01)I;A61K31/196(2006.01)I;A61K47/02(2006.01)I;A61P29/00(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 北京化工大学 |
| 发明(设计)人 | 张 慧;邹 亢;盘登科 |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北三环东路15号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 |
| 代理人 | 刘月娥 |
| 国省代码 | 北京;11 |
| 主权项 | 一种磁性超分子插层结构缓释型双氯芬酸钠，其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，其特征在于：化学式为：(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)α(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4；其中(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)a(Bn-)b·mH2O简写为DIK-LDHs，M’Fe2O4为磁性物种，DIK-LDHs为包覆在M’Fe2O4外的双氯芬酸钠插层水滑石；其质量百分含量为：M’Fe2O4：1％～10％；DIK-LDHs：90％～99％，其中，DIK：40％～60％；M2+为二价金属离子Zn2+、Mg2+中的任何一种；N3+为三价金属离子Al3+、Fe3+中的任何一种；M’为Mg2+、Ni2+二价金属离子其中的任何一种，M2+与M’相同或不同；DIK-代表层间一价布洛芬阴离子；Bn-为荷电量为n的无机阴离子，DIK-LDHs化学式中Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-中的1～2种；x＝N3+/(M2++N3+)，0＜x＜1；a、b分别为DIK-、Bn-的数量，且满足a+n×b＝x，m为结晶水数，0＜m＜5，k为M’Fe2O4分子系数。 |
| 摘要 | 一种磁性超分子插层结构缓释型双氯芬酸钠及其制备方法，属于水滑石材料技术领域。磁性双氯芬酸钠的化学式为：(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)a(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4。其制备是先采用共沉淀法方法制备纳米级磁性核，将该磁性核与相应的盐溶液混合，再利用共沉淀法将双氯芬酸钠组装入水滑石层间，同时得到含有磁性核的双氯芬酸钠插层水滑石。优点在于：制备了一种新的磁性超分子插层结构双氯芬酸钠缓释剂型；由于双氯芬酸钠插层在水滑石层间，可以增强其稳定性，并提高其生物利用度；可以通过外加磁场达到提高分散性和靶向定位的效果；可实现对磁性药物的结构、组成、磁性大小、释放量和释放持效期的调控。 |
| 国际公布 |
