稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途
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公开(公告)号
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CN1807428A
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公开(公告)日
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2006.07.26
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申请(专利)号
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CN200510119064.4
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申请日期
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2005.12.08
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专利名称
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稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途
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主分类号
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C07D409/14(2006.01)I
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分类号
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C07D409/14(2006.01)I;C07D417/14(2006.01)I;C07D333/04(2006.01)I;C07D495/04(2006.01)I;C07D513/04(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I
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分案原申请号
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优先权
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申请(专利权)人
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中国科学院长春应用化学研究所
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发明(设计)人
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耿延候;田洪坤;史建武
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地址
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130022吉林省长春市人民大街5625号
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颁证日
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国际申请
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进入国家日期
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专利代理机构
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长春科宇专利代理有限责任公司
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代理人
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马守忠
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国省代码
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吉林;22
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主权项
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一种稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料，其特征在于它具有如下结构通式： 其中为包括以下结构通式的基团： 其中为稠环单元封端基团。
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摘要
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本发明属于光电子材料技术领域，涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如(A)其中thiophene为包括以下结构通式的基团：[见式(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)]，其中X＝S，C＝C，Y=C、N为稠环单元封端基团。本发明的有机半导体材料与噻吩齐聚物相比具有高的热稳定性及环境稳定性、高纯度和高迁移率等；在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，作为传输层应用于有机薄膜晶体管，制备的器件在空气中稳定。
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国际公布
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